전기적으로 해결된 반도체 비휘발성 기억될 수 있습에 따라 분류 작성 메커니즘이 있습니다. 마스크 롬은 공장 프로그래밍 전용이며 일반적으로 제조 후 업데이트 할 필요가없는 대용량 제품에 사용됩니다. 프로그래밍 가능한 읽만 기억될 수 있는 변경된 후에는 제조하지만,필요한 특별한 프로그래머와 일반적으로 수 없습 프로그램 동안에는 대상 시스템입니다. 프로그래밍은 영구적이며 추가 변경으로 장치를 교체해야합니다., 데이터는 장치의 저장 사이트를 물리적으로 변경(굽기)하여 저장됩니다.
읽기-대부분 devicesEdit
EPROM 은 두 번 이상 변경할 수있는 지울 수있는 ROM 입니다. 그러나 EPROM 에 새로운 데이터를 쓰려면 특별한 프로그래머 회로가 필요합니다. EPROMs 에는 자외선으로 지울 수있는 석영 창이 있지만 전체 장치는 한 번에 지워집니다. 일회성 프로그래밍 가능(OTP)장치는 석영 창이없는 EPROM 칩을 사용하여 구현 될 수 있으며,이는 제조 비용이 적게 든다., 전기적으로 지울 수있는 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리 EEPROM 은 전압을 사용하여 메모리를 지 웁니다. 이러한 소거 가능한 메모리 장치는 데이터를 지우고 새로운 데이터를 쓰는 데 상당한 시간이 필요합니다. 데이터가 저장되어 사용에 의한 부동 게이트 트랜지스터 필요로 하는 특별한 작동 전압 트랩 또는 출시 전에는 절연제 게이트 정보를 저장합니다.,
플래시 memoryEdit
플래시 메모리는 고체 상태의 칩을 유지하는 저장되지 않고 데이터를 외부 전원이다. 그것은 가까운 친척을 EEPROM;그것은 다른에서는 지우기 작업이 수행되어야에 기초와 용량을 실질적으로 더 큰 것보다는 EEPROM. 플래시 메모리 장치는 두 가지 기술(NOR 및 NAND)을 사용하여 데이터를 매핑합니다. NOR flash 제공하는 고속 랜덤 액세스,데이터를 읽고 쓰기에서 특정 메모리 위치를 검색할 수 있으로 작은 하나의 바이트입니다., NAND flash 는 고속으로 순차적으로 읽고 쓰며 블록에서 데이터를 처리하지만 NOR 와 비교할 때 읽기 속도가 느립니다. 낸드 플래시는 기록보다 빠르게 읽으며 전체 데이터 페이지를 빠르게 전송합니다. 고밀도에서 NOR 플래시보다 비용이 적게 드는 NAND 기술은 동일한 크기의 실리콘에 대해 더 높은 용량을 제공합니다.,
Ferroelectric RAM(F-RAM)편집
Ferroelectric RAM(FeRAM,F-RAM 또는 FRAM)형태의 랜덤 액세스 메모리에서 유사한 건설 DRAM,모두를 사용한 커패시터 및 트랜지스터 하지만 그 대신 사용하여 간단한 유전체 계층에 캐패시터,F-RAM 세포함 얇은 강유전체의 필름 lead zirconate 타이타늄,일반적으로 PZT. PZT 의 Zr/Ti 원자는 전기장에서 극성을 변화시켜 이진 스위치를 생성합니다., 극성을 유지하는 pzt 결정으로 인해 f-RAM 은 전원이 차단되거나 중단 될 때 데이터 메모리를 유지합니다.
이로 인해 결정구조와 그것이 어떻게 영향을 받,F-RAM 제공하는 별개의 속성에서 기타 비휘발성 메모리 옵션을 포함하여 매우 높은,하지만 무한하지 않습니다,내구성(초과하 1016 읽기/쓰기 사이클에 대한 3.3V 장치),매우 낮은 전력 소비(이후 F-RAM 필요로하지 않는 충전 펌프 같은 기타 비휘발성 기억),단일 사이클 쓰기 속도 및 감마 방사선관용입니다.,
자기 저항 RAM(美)편집
자기 저항 RAM 에 데이터를 저장하고 마그네틱 스토리지 요소라는 magnetic tunnel junctions(MTJs). Everspin Technologies 의 4mbit 과 같은 1 세대 MRAM 은 현장 유도 작문을 활용했습니다. 두 번째 세대가 주로 개발을 통해 두 가지 방법:열원 전환(TAS)되는 의해 개발되었 크로커스 기술,그리고 Spin-transfer torque(STT)는 크로커스,하이닉스,IBM,그리고 여러 가지 다른 회사 개발하고 있습니다.,
FeFET memoryEdit
FeFET 메모리를 사용합 트랜지스터와 강유전체 재료를 영구적으로 유지한 상태에 있습니다.
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