Ikke-flygtig hukommelse

elektrisk adresserede halvleder ikke-flygtige minder kan kategoriseres i henhold til deres skrivemekanisme. Maskerom ‘ er er kun fabriksprogrammerbare og bruges typisk til produkter i stor mængde, som ikke skal opdateres efter fremstillingen. Programmerbar skrivebeskyttet hukommelse kan ændres efter fremstilling, men kræver en særlig programmør og kan normalt ikke programmeres, mens du er i målsystemet. Programmeringen er permanent, og yderligere ændringer kræver udskiftning af enheden., Data lagres ved fysisk at ændre (brænde) lagerpladser i enheden.

Læs-for det meste devicesEdit

en EPROM er en sletbar ROM, der kan ændres mere end .n gang. At skrive nye data til en EPROM kræver dog et specielt programmererkredsløb. Eproms har et kvartsvindue, der gør det muligt at slette dem med ultraviolet lys, men hele enheden ryddes ad gangen. En engangs-programmerbar (OTP) enhed kan implementeres ved hjælp af en EPROM-chip uden kvartsvinduet; dette er billigere at fremstille., En elektrisk sletbar programmerbar skrivebeskyttet hukommelse EEPROM bruger spænding til at slette hukommelsen. Disse sletbare hukommelsesenheder kræver en betydelig mængde tid til at slette data og skrive nye data; de er normalt ikke konfigureret til at blive programmeret af målsystemets processor. Data lagres ved hjælp af floating-gate transistorer, som kræver særlige driftsspændinger at fælde eller frigive elektrisk ladning på en isoleret kontrol gate til at gemme oplysninger.,

Flash memoryEdit

Flash-hukommelse er en solid state-chip, der vedligeholder lagrede data uden ekstern strømkilde. Det er en nær slægtning til EEPROM; det adskiller sig ved, at sletningsoperationer skal udføres på blokbasis, og kapaciteten er væsentligt større end en EEPROM. Flashhukommelsesenheder bruger to forskellige teknologier-NOR og NAND-til at kortlægge data. NOR flash giver høj hastighed tilfældig adgang, læsning og skrivning af data i bestemte hukommelsessteder; det kan hente så lidt som en enkelt byte., NAND flash læser og skriver sekventielt ved høj hastighed, håndtering af data i blokke, men det er langsommere på læse i forhold til NOR. NAND flash læser hurtigere end den skriver, hurtigt overføre hele sider af data. Billigere end heller ikke flash ved høje tætheder, NAND-teknologi tilbyder højere kapacitet til silicium i samme størrelse.,

Ferroelectric RAM (F-RAM)Edit

Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM-eller FRAM) er en form for random-access memory-lignende konstruktion DRAM, begge bruge en kondensator og transistor, men i stedet for at bruge en simpel dielektriske lag kondensator, en F-RAM celle, der indeholder et tyndt ferroelectric film af bly zirconate titanate , der almindeligvis omtales som PZT. ATR / Ti-atomerne i P .t ændrer polariteten i et elektrisk felt og derved producerer en binær s .itch., På grund af p .t crystal opretholde polaritet, f-RAM bevarer sin datahukommelse, når strømmen er slukket eller afbrudt.

på Grund af denne krystal struktur, og hvordan det er påvirket, F-RAM tilbyder forskellige egenskaber fra andre ikke-flygtig hukommelse muligheder, herunder meget høj, selv om ikke uendelig, udholdenhed (over 1016 læse/skrive cyklusser for 3,3 V-enheder), ultra-lavt strømforbrug (da F-RAM kræver ikke en afgift pumpe som andre ikke-flygtige erindringer), enkelt-cyklus skrive hastigheder, og gamma-stråling tolerance.,

Magnetoresistive RAM (MRAM)Edit

Magnetoresistive RAM gemmer data i magnetiske elementer kaldes magnetisk tunnel kryds (MTJs). Den første generation af MRAM, såsom Everspin Technologies’ 4 Mbit, udnyttede feltinduceret skrivning. Den anden generation er udviklet primært gennem to tilgange: Termisk assisteret skift (TAS), som er udviklet af Krokus Teknologi, og Spin-transfer drejningsmoment (STT), som Krokus, Hynix, IBM, og flere andre virksomheder er ved at udvikle.,

FeFET memoryEdit

FeFET hukommelse bruger en transistor med ferroelektrisk materiale til permanent bevare tilstand.