Ikke-flyktig minne

Elektrisk adressert semiconductor ikke-flyktige minner kan bli kategorisert i henhold til egne skrive-mekanisme. Maske Rom er fabrikken programmerbare bare, og brukes vanligvis for stort volum produkter som ikke er pålagt å være oppdatert etter produksjon. Programmable read-only memory kan være endret etter produksjon, men krever en spesiell programmerer og vanligvis ikke programmeres mens i mål-system. Programmering er permanent, og ytterligere endringer krever erstatning av enheten., Data som er lagret ved fysisk å endre (brenne) – lagring steder i enheten.

Les-for det meste devicesEdit

En EPROM er et overskrivbart ROM som kan endres mer enn en gang. Men å skrive nye data til en EPROM krever en spesiell programmerer krets. EPROMs har en kvarts-vinduet som tillater dem å bli slettet med ultrafiolett lys, men hele enheten er fjernet på en gang. En one-time programmable (OTP) enheten kan gjennomføres ved hjelp av en EPROM chip uten kvarts-vinduet, og dette er mindre kostbart å produsere., En elektrisk erasable programmable read-only memory EEPROM bruker spenning for å slette minnet. Disse slettbar minne enheter krever en betydelig mengde tid til å slette data, og til å skrive nye data; de er vanligvis ikke konfigurert til å bli programmert av prosessoren på målsystemet. Data som er lagret ved hjelp av flytende-gate transistorer som krever spesielle drifts spenning for å felle eller frigi elektrisk ladning på en isolert kontroll gate for å lagre informasjon.,

Flash memoryEdit

Flash-minne er en solid-state-chip som inneholder data som er lagret uten noen ekstern strømkilde. Det er en nær slektning til EEPROM; det skiller seg i så slette operasjoner må gjøres på en blokk basis, og kapasiteten er vesentlig større enn en EEPROM. Flash-minne enheter bruker to forskjellige teknologier—NOR og NAND—til kartdata. NOR flash gir høy hastighet random access, lese og skrive data i bestemte minne steder; det kan hente så lite som en enkelt byte., NAND-flash-leser og skriver sekvensielt i høy hastighet, håndtering av data i blokker, men det er tregere på les sammenlignet med NOR. NAND-flash-leser raskere enn den skriver raskt overføre hele sider av data. Billigere enn ELLER flash-ved høye tettheter, NAND-teknologi gir høyere kapasitet for samme størrelse silisium.,

Ferroelektriske RAM (F-RAM)Edit

Ferroelektriske RAM (FeRAM, F-RAM-eller FRAM) er en form for random-access memory lik i utførelse DRAM, både bruke en kondensator og en transistor, men i stedet for å bruke en enkel dielektrisk lag kondensator, en F-RAM cellen inneholder en tynn ferroelektriske film av bly zirconate titanate , ofte referert til som PZT. Zr/Ti-atomer i PZT endre polaritet i et elektrisk felt, og dermed produsere en binær overføring., På grunn av den PZT crystal å opprettholde polaritet, F-RAM, beholder sine data minnet når strømmen er slått av eller er avbrutt.

på Grunn av dette krystallstruktur og hvordan den er påvirket, F-RAM tilbyr ulike egenskaper fra andre ikke-flyktig minne alternativer, inkludert svært høy, selv om den ikke er uendelig, utholdenhet (høyst 1016 lese/skrive-sykluser for 3,3 V-enheter), ultra-lavt strømforbruk (siden F-RAM krever ikke en kostnad pumpe som andre ikke-flyktige minner), single-syklus skrive hastigheter, og gamma stråling toleranse.,

Magnetoresistive RAM (MRAM)Edit

Magnetoresistive RAM lagrer data i en magnetisk lagring elementer som kalles magnetisk tunnel veikryss (MTJs). Den første generasjonen av MRAM, for eksempel Everspin Technologies’ 4 Mbit, benyttes felt-indusert skriftlig. Andre generasjon er utviklet hovedsakelig gjennom to tilnærminger: Termisk-assistert bytte (TAS) som er utviklet av Crocus Teknologi, og Spin-overføring av dreiemoment (STT) som Krokus, Hynix, IBM, og flere av de andre selskapene utvikler seg.,

FeFET memoryEdit

FeFET minne bruker en transistor med ferroelektriske materialer for å permanent beholde staten.