Memória não volátil

memórias semicondutoras Não voláteis endereçadas electricamente podem ser categorizadas de acordo com o seu mecanismo de escrita. Mask ROMs são programáveis apenas na fábrica, e normalmente usados para produtos de grande volume que não são obrigados a ser atualizados após a fabricação. A memória programável só de leitura pode ser alterada após a fabricação, mas requer um programador especial e geralmente não pode ser programado enquanto no sistema alvo. A programação é permanente e outras mudanças requerem a substituição do dispositivo., Os dados são armazenados alterando fisicamente (queimando) locais de armazenamento no dispositivo.

Read-mostly devicesEdit

An EPROM is an erasable ROM that can be changed more than once. No entanto, escrever novos dados para um EPROM requer um circuito programador especial. EPROMs tem uma janela de quartzo que permite que eles sejam apagados com luz ultravioleta, mas todo o dispositivo é limpo ao mesmo tempo. Um dispositivo programável único (OTP) pode ser implementado usando um chip EPROM sem a janela de quartzo; isso é menos caro de fabricar., Um EEPROM de memória programável apagável eletricamente usa voltagem para apagar a memória. Estes dispositivos de memória apagável requerem uma quantidade significativa de tempo para apagar dados e para escrever novos dados; eles não são geralmente configurados para serem programados pelo processador do sistema alvo. Os dados são armazenados através da utilização de transístores de portas flutuantes que exigem tensões de funcionamento especiais para aprisionar ou libertar carga eléctrica numa porta de controlo isolada para armazenar informações.,

memória Flash

memória Flash é um chip de estado sólido que mantém os dados armazenados sem qualquer fonte de energia externa. É um próximo em relação ao EEPROM; difere em que as operações de apagar devem ser feitas em uma base de bloco e a capacidade é substancialmente maior do que a de um EEPROM. Dispositivos de memória Flash usam duas tecnologias diferentes-NOR e NAND—para mapear dados. NOR flash fornece acesso aleatório de alta velocidade, leitura e escrita de dados em locais de memória específicos; ele pode recuperar tão pouco quanto um único byte., NAND flash lê e escreve sequencialmente em alta velocidade, manuseando dados em blocos, no entanto, é mais lento na leitura quando comparado com NOR. NAND flash lê mais rápido do que escreve, transferindo rapidamente páginas inteiras de dados. Menos caro do que nem flash em altas densidades, a tecnologia NAND oferece maior capacidade para o silício do mesmo tamanho.,

RAM Ferroelétrica (F-RAM)Editar

RAM Ferroelétrica (FeRAM, F-RAM ou FRAM) é uma forma de memória de acesso aleatório semelhante na construção para o DRAM, tanto usamos um capacitor e um transistor, mas em vez de usar uma simples camada dielétrica do capacitor, um F-RAM célula contém uma fina ferroelétrica filme de levar o zirconato titanato , comumente referido como PZT. The Zr/Ti atoms in the PZT change polarity in an electric field, thereby producing a binary switch., Devido ao cristal PZT manter a polaridade, F-RAM retém sua memória de dados quando a energia é desligada ou interrompida.

Devido a esta estrutura cristalina e como ele é influenciado, F-RAM oferece propriedades distintas de outras de memória não-volátil opções, incluindo extremamente elevada, embora não infinita, resistência (superior a 1016 de leitura/gravação ciclos de 3,3 V dispositivos), ultra baixo consumo de energia (desde que F-RAM não necessita de uma bomba de carga como de outros não-volátil memórias), de ciclo único de velocidades de gravação, e a radiação gama tolerância.,

Magnetoresistive RAM (MRAM)Edit

Magnetoresistive RAM stores data in magnetic storage elements called magnetic tunnel junctions (MTJs). A primeira geração do MRAM, como o 4 Mbit da Everspin Technologies, utilizou a escrita induzida pelo campo. A segunda geração é desenvolvida principalmente através de duas abordagens: a comutação assistida por via térmica (TAS), que está a ser desenvolvida pela Crocus Technology, e o torque de Spin-transfer (STT), que Crocus, Hynix, IBM e várias outras empresas estão a desenvolver.,

FeFET memoriedit

FeFET memory uses a transistor with ferroelectric material to retain permanent state.