電気的にアドレス指定された半導体不揮発性メモリは、その書き込みメカニズムに応じて分類することができる。 マスクRomは工場出荷時にのみプログラム可能であり、通常、製造後に更新する必要のない大量の製品に使用されます。 プログラマブル読み取り専用メモリを変更することができ、製造後にも特別なプログラマは、通常はプログラムしながら、対象システム。 プログラミングは永久的であり、さらなる変更は装置の交換を必要とする。, データを保存することができる物理的変化(燃える)場合には、土地家屋調査士等の装置です。
読み取り-主にデバイス編集
EPROMは、複数回変更できる消去可能なROMです。 ただし、EPROMに新しいデータを書き込むには特別なプログラマ回路が必要です。 Epromには、紫外線で消去することができる石英ウィンドウがありますが、デバイス全体が一度にクリアされます。 ワンタイムプログラマブル(OTP)デバイスは、石英ウィンドウなしでEPROMチップを使用して実装することができます。, 電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリEEPROMは、電圧を使用してメモリを消去します。 これらの消去可能なメモリデバイスは、データの消去および新しいデータの書き込みにかなりの時間を必要とします。 データは、情報を格納するために絶縁制御ゲート上の電荷をトラップまたは解放するために特別な動作電圧を必要とするフローティングゲートトランジス,
フラッシュメモリ編集
フラッシュメモリは、外部電源なしで保存されたデータを維持するソリッドステートチップです。 これは、消去動作がブロックベースで行われなければならず、容量がEEPROMのそれよりも大幅に大きいという点で異なります。 フラッシュメモリデバイスを使用しな技術—NOR、NAND—地図データです。 NORフラッシュは、特定のメモリ位置に高速ランダムアクセス、読み取りおよび書き込みデータを提供します。, NANDフラッシュを読み込みおよび書き込みを順次高速にデータの取り扱いについてブロックできますが、そこでは遅くなりに読みと比較した場合でも. NANDフラッシュを読み込み速で書き込みますし、移籍の全ページデータです。 高密度でのNORフラッシュよりも安価であるNAND技術は、同じサイズのシリコンに対して高い容量を提供します。,
強誘電体RAM(F-RAM)Edit
強誘電体RAM(FeRAM、F-RAMまたはFRAM)は、DRAMと同様の構造のランダムアクセスメモリの一形態であり、コンデンサとトランジスタを使用しますが、単純な誘電体層を使用する代わりに、F-RAMセルには一般にPZTと呼ばれるジルコン酸チタン酸鉛の薄い強誘電体膜が含まれています。 ＰＺＴ中のＺｒ／Ｔｉ原子は電場中で極性を変化させ，それにより二元スイッチを生成する。, PZTの水晶維持の極性が原因で、f-RAMは力が止まるか、または中断されるときデータ記憶を保つ。
この結晶構造とその影響により、F-RAMは他の不揮発性メモリオプションとは異なる特性を提供し、無限ではありませんが非常に高い耐久性（1016回の読み取り/書き込みサイクルを超える3.3vデバイス）、超低消費電力（F-RAMは他の不揮発性メモリのようなチャージポンプを必要としないため）、シングルサイクルの書き込み速度、ガンマ放射耐性などがあります。,
磁気抵抗RAM(MRAM)Edit
磁気抵抗RAMは、磁気トンネル接合(MTJs)と呼ばれる磁気記憶素子にデータを格納します。 Everspin Technologiesの4Mbitなどの第一世代のMRAMは、フィールド誘起書き込みを利用していました。 第二世代は，クロッカス-テクノロジーが開発している熱支援スイッチング（ＴＡＳ）と，クロッカス，ハイニックス，ＩＢＭなど複数の企業が開発しているスピン伝達トルク（ＳＴＴ）の二つのアプローチによって主に開発されている。,
FeFETメモリ編集
FeFETメモリは、強誘電体材料を含むトランジスタを使用して状態を永続的に保持します。
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