Mémoire non volatile

Les mémoires non volatiles à semi-conducteurs adressés électriquement peuvent être classées en fonction de leur mécanisme d’écriture. Les rom de masque sont programmables en usine uniquement et sont généralement utilisées pour les produits à grand volume qui ne doivent pas être mis à jour après la fabrication. La mémoire Programmable en lecture seule peut être modifiée après la fabrication, mais nécessite un programmateur spécial et ne peut généralement pas être programmée dans le système cible. La programmation est permanente et d’autres modifications nécessitent le remplacement de l’appareil., Les données sont stockées en modifiant physiquement (brûlant) les sites de stockage dans l’appareil.

read-mostly devicesEdit

Une EPROM est une ROM effaçable qui peut être modifiée plus d’une fois. Cependant, l’écriture de nouvelles données sur une EPROM nécessite un circuit de programmation spécial. Les EPROMs ont une fenêtre de quartz qui leur permet d’être effacés avec de la lumière ultraviolette, mais l’ensemble de l’appareil est effacé en même temps. Un dispositif programmable unique (OTP) peut être mis en œuvre à l’aide d’une puce EPROM sans fenêtre de quartz; cela est moins coûteux à fabriquer., Une mémoire en lecture seule programmable effaçable électriquement EEPROM utilise la tension pour effacer la mémoire. Ces dispositifs de mémoire effaçables nécessitent un temps important pour effacer les données et écrire de nouvelles données; ils ne sont généralement pas configurés pour être programmés par le processeur du système cible. Les données sont stockées à l’aide de transistors à grille flottante qui nécessitent des tensions de fonctionnement spéciales pour piéger ou libérer une charge électrique sur une grille de commande isolée pour stocker des informations.,

mémoire Flashmodifier

la mémoire Flash est une puce à semi-conducteurs qui maintient les données stockées sans source d’alimentation externe. C’est un proche parent de L’EEPROM; il diffère en ce que les opérations d’effacement doivent être effectuées sur une base de bloc et la capacité est sensiblement plus grande que celle d’une EEPROM. Les dispositifs de mémoire Flash utilisent deux technologies différentes-NOR et NAND—pour cartographier les données. NOR flash fournit un accès aléatoire à grande vitesse, la lecture et l’écriture de données dans des emplacements de mémoire spécifiques; il peut récupérer aussi peu qu’un seul octet., NAND flash lit et écrit séquentiellement à haute vitesse, en manipulant les données en blocs, mais il est plus lent en lecture par rapport à NOR. NAND flash lit plus vite qu’il n’écrit, transférant rapidement des pages entières de données. Moins chère que le NOR flash à haute densité, la technologie NAND offre une capacité supérieure pour le silicium de même taille.,

Ferroelectric RAM (F-RAM)Edit

la RAM Ferroelectric (FeRAM, F-RAM ou FRAM) est une forme de mémoire à accès aléatoire de construction similaire à la DRAM, les deux utilisent un condensateur et un transistor mais au lieu d’utiliser une simple couche diélectrique le condensateur, une cellule F-RAM contient un mince film ferroélectrique de titanate de zirconate de plomb , communément appelé PZT. Les atomes Zr / Ti dans le Pzt changent de polarité dans un champ électrique, produisant ainsi un commutateur binaire., En raison du maintien de la polarité du cristal PZT, la F-RAM conserve sa mémoire de données lorsque l’alimentation est coupée ou interrompue.

en raison de cette structure cristalline et de la façon dont elle est influencée, la F-RAM offre des propriétés distinctes des autres options de mémoire non volatile, notamment une endurance extrêmement élevée, mais pas infinie (dépassant 1016 cycles de lecture/écriture pour les appareils 3.3 V), une consommation d’énergie ultra faible (car la F-RAM ne nécessite pas,

magnetoresistive RAM (MRAM)Edit

Magnetoresistive RAM stocke les données dans des éléments de stockage magnétiques appelés jonctions de tunnel magnétiques (MTJs). La première génération de MRAM, telle que le Mbit 4 D’Everspin Technologies, utilisait l’écriture induite par le champ. La deuxième génération est développée principalement à travers deux approches: Thermal-assisted switching (TAS) qui est développé par Crocus Technology, et spin-transfer torque (STT) que Crocus, Hynix, IBM, et plusieurs autres sociétés développent.,

fefet memoryEdit

la mémoire FeFET utilise un transistor avec un matériau ferroélectrique pour conserver en permanence l’état.